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2012年7月镁光科技以25亿美元的超低价格收购日本尔必达，随后，镁光市值从60亿美元暴增至360亿美元，成为尔必达破产的最大受益者。这终结了米国人和日本人之间长达50年的恩怨情仇，美日半导体战争画上最终句号。
2015年12月米国镁光科技以32亿美元，并购在韩台半导体战争中的失败者-华亚科技(台湾省南亚科和德国英飞凌合资)。
至此，米国人在全球DRAM内存市场成为仅次于韩国人的存在，全球DRAM市场份额从10%提升到25-30%。
在随后的第二次、第三次全球半导体硅含量提升周期中。
米国人开始在微处理器CPU、逻辑、模拟芯片等发力并巩固全球核心竞争力，使得米国人占据了全球半导体工业产值的半壁江山。
最典型的就是英特尔，连续长达30年占据全球微处理器CPU芯片的90%以上的市场份额，持续通过科技红利投入，从286到586，从奔腾1到5等，垄断全球PC和笔记本市场。
米国人充分分享第二、三次全球半导体硅含量提升周期中PC电脑、笔记本、手机等快速普及的市场红利。
纵观米国半导体工业70年的发展历史，独立自主的完整的半导体工业体系和完善的人才培养体系，才是大国、强国的发展之基础。独立自主的完整的半导体工业体系，就像武侠小说中老师傅的深厚内功，有了深厚内功，学什么都会很快。
对于资料了解越多，知道的越深入，庞煖越意识到。天朝和米国半导体工业的差距，是全方位的差距，而不是仅仅一两个环节。
自己就算拿到100亿美金全款，全部投入半导体行业，在这种国家级的竞争面前，只是微不足道。
要知道，天朝的国家经济，2016年一年投入在半导体相关领域的资金就高达1200亿元。
但是，微不足道也可以贡献自己的一份力量。
..................................
米国完善的人才培养体系，特别是硅谷源源不断的半导体人才，直到今天仍是米国半导体集成电路芯片产业最宝贵的资源，科技创新的源泉，科技红利投入的有效保证。
就像武侠小说中，再深厚的内功，也需要根骨奇佳的徒弟呀。
日本DRAM和半导体工业产值在全球市场占有率中的发展趋势：官产学三位一体、举国体制的国家力量、产业链上游延伸。
朝鲜战争的爆发，日本人获得了米国的扶持。
从1958年日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机，研制64K容量的MD-2A磁鼓存储器起，到1988年日本登上全球半导体DRAM内存市场霸主。
一共经历将近三十年。
日本人向米国学习，在米国人的扶持下初步建立自己完整的半导体工业体系，并形成了自身国家在科技突破上的研发体系。
1960年起日本形成“官产学”三位一体的体系，即政府、企业和大学联合对集成电路技术进行攻关。
1960年日本人成功研制了第一块晶体管集成电路；1963年研制MOS型晶体管。特别是1962年米国人对日本人开放当时全球半导体工业最先进的平面制造工艺技术，使得日本人几乎一夜之间就获得集成电路的生产制造技术。
这构成了日本半导体工业体系的雏形，一下子缩短了和天朝人的差距。
在第二次DRAM世界大战-美日半导体战争中，日本制定了三步走的战略：
确定目标、追赶、超越。
直到今天，日本人很多举措为后世许多科技落后国家实现科技突破，提供很好的借鉴意义。
第一，探索和思考DRAM未来的演进方向，并确立目标以及演进路径。
早在1972年日本人就对当时IBM“FS计划”中提出的“1M DRAM”进行了探索和思考，而当时市场主流还处于1k DRAM时代，这在当时简直是无法想象的。
但是。日本就以此为目标，确立了超大规模集成电路(VLSI)的技术演进路径，而当时全球主流仍处于MOS晶体管技术路线中。
1975年日本人以通产省为中心的“下世代电子计算机用VLSI研究开发计划”构想，设立了官民共同参与的“超大规模集成电路(VLSI)研究开发政策委员会”。
第二，官产学三位一体，制定国家项目进行重点攻关。
1976年日本启动VLSI研究项目。1976年3月经通产省、大藏省等多次协商，日本政府启动了“DRAM制法革新”国家项目。
由日本政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大公司联合筹资400亿日元。
总计投入720亿日元为基金，由日本电子综合研究所和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构-VLSI技术研究所。
日本人官产学三位一体，协调发展，通力合作，齐心协力，针对高难度、高风险的研究项目，VLSI研究所组织多个实验室以会战的方式，调动各单位的积极性，发挥良性竞争，各企业之间技术共享合作，共同提高DRAM量产成功率。
期间申请的实用新型专利和商业专利，分别达到1210件和347件。
研发的主要成果包括各型号电子束曝光设备，采用紫外线、X射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，取得了一系列引人注目的成果。
这为美日半导体战争，打下了坚实的产业和科研基础。
第三，举国体制，突破产业链上下游，特别是半导体关键生产制造设备。70年代日本虽然可以生产DRAM内存芯片。
但是，最为关键的生产制程设备和原材料主要来自米国，为了补足短板，日本人组织800名技术人员进行重点攻关，共同研制高性能的国产化DRAM生产设备，不仅实现64K DRAM和256K DRAM的商用化，也实现1M DRAM商用化的关键生产制程设备。
在DRAM生产制程设备攻关体系中，日本人团结一致、齐心协力，这种举国体制的国家力量令人震惊。
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2012年7月镁光科技以25亿美元的超低价格收购日本尔必达，随后，镁光市值从60亿美元暴增至360亿美元，成为尔必达破产的最大受益者。这终结了米国人和日本人之间长达50年的恩怨情仇，美日半导体战争画上最终句号。
2015年12月米国镁光科技以32亿美元，并购在韩台半导体战争中的失败者-华亚科技(台湾省南亚科和德国英飞凌合资)。
至此，米国人在全球DRAM内存市场成为仅次于韩国人的存在，全球DRAM市场份额从10%提升到25-30%。
在随后的第二次、第三次全球半导体硅含量提升周期中。
米国人开始在微处理器CPU、逻辑、模拟芯片等发力并巩固全球核心竞争力，使得米国人占据了全球半导体工业产值的半壁江山。
最典型的就是英特尔，连续长达30年占据全球微处理器CPU芯片的90%以上的市场份额，持续通过科技红利投入，从286到586，从奔腾1到5等，垄断全球PC和笔记本市场。
米国人充分分享第二、三次全球半导体硅含量提升周期中PC电脑、笔记本、手机等快速普及的市场红利。
纵观米国半导体工业70年的发展历史，独立自主的完整的半导体工业体系和完善的人才培养体系，才是大国、强国的发展之基础。独立自主的完整的半导体工业体系，就像武侠小说中老师傅的深厚内功，有了深厚内功，学什么都会很快。
对于资料了解越多，知道的越深入，庞煖越意识到。天朝和米国半导体工业的差距，是全方位的差距，而不是仅仅一两个环节。
自己就算拿到100亿美金全款，全部投入半导体行业，在这种国家级的竞争面前，只是微不足道。
要知道，天朝的国家经济，2016年一年投入在半导体相关领域的资金就高达1200亿元。
但是，微不足道也可以贡献自己的一份力量。
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米国完善的人才培养体系，特别是硅谷源源不断的半导体人才，直到今天仍是米国半导体集成电路芯片产业最宝贵的资源，科技创新的源泉，科技红利投入的有效保证。
就像武侠小说中，再深厚的内功，也需要根骨奇佳的徒弟呀。
日本DRAM和半导体工业产值在全球市场占有率中的发展趋势：官产学三位一体、举国体制的国家力量、产业链上游延伸。
朝鲜战争的爆发，日本人获得了米国的扶持。
从1958年日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机，研制64K容量的MD-2A磁鼓存储器起，到1988年日本登上全球半导体DRAM内存市场霸主。
一共经历将近三十年。
日本人向米国学习，在米国人的扶持下初步建立自己完整的半导体工业体系，并形成了自身国家在科技突破上的研发体系。
1960年起日本形成“官产学”三位一体的体系，即政府、企业和大学联合对集成电路技术进行攻关。
1960年日本人成功研制了第一块晶体管集成电路；1963年研制MOS型晶体管。特别是1962年米国人对日本人开放当时全球半导体工业最先进的平面制造工艺技术，使得日本人几乎一夜之间就获得集成电路的生产制造技术。
这构成了日本半导体工业体系的雏形，一下子缩短了和天朝人的差距。
在第二次DRAM世界大战-美日半导体战争中，日本制定了三步走的战略：
确定目标、追赶、超越。
直到今天，日本人很多举措为后世许多科技落后国家实现科技突破，提供很好的借鉴意义。
第一，探索和思考DRAM未来的演进方向，并确立目标以及演进路径。
早在1972年日本人就对当时IBM“FS计划”中提出的“1M DRAM”进行了探索和思考，而当时市场主流还处于1k DRAM时代，这在当时简直是无法想象的。
但是。日本就以此为目标，确立了超大规模集成电路(VLSI)的技术演进路径，而当时全球主流仍处于MOS晶体管技术路线中。
1975年日本人以通产省为中心的“下世代电子计算机用VLSI研究开发计划”构想，设立了官民共同参与的“超大规模集成电路(VLSI)研究开发政策委员会”。
第二，官产学三位一体，制定国家项目进行重点攻关。
1976年日本启动VLSI研究项目。1976年3月经通产省、大藏省等多次协商，日本政府启动了“DRAM制法革新”国家项目。
由日本政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大公司联合筹资400亿日元。
总计投入720亿日元为基金，由日本电子综合研究所和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构-VLSI技术研究所。
日本人官产学三位一体，协调发展，通力合作，齐心协力，针对高难度、高风险的研究项目，VLSI研究所组织多个实验室以会战的方式，调动各单位的积极性，发挥良性竞争，各企业之间技术共享合作，共同提高DRAM量产成功率。
期间申请的实用新型专利和商业专利，分别达到1210件和347件。
研发的主要成果包括各型号电子束曝光设备，采用紫外线、X射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，取得了一系列引人注目的成果。
这为美日半导体战争，打下了坚实的产业和科研基础。
第三，举国体制，突破产业链上下游，特别是半导体关键生产制造设备。70年代日本虽然可以生产DRAM内存芯片。
但是，最为关键的生产制程设备和原材料主要来自米国，为了补足短板，日本人组织800名技术人员进行重点攻关，共同研制高性能的国产化DRAM生产设备，不仅实现64K DRAM和256K DRAM的商用化，也实现1M DRAM商用化的关键生产制程设备。
在DRAM生产制程设备攻关体系中，日本人团结一致、齐心协力，这种举国体制的国家力量令人震惊。
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